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MJE2955TG中文资料

MJE2955TG图片

MJE2955TG外观图

  • 大小:79.9KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):20V; Power Dissipation, Pd:75W; DC Current Gain Min (hfe):20; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):8V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大):700µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大:75W
  • 频率 - 转换:2MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJE2955TGOS

MJE2955TG供应商

更新时间:2023-01-13 04:27:57
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